NE3516S02-T1C-A
Açıklama:
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
Kategoriler:
TI Entegre Devre
In-stock:
Stokta var
Ödeme yöntemi:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, HAVA, FCL, Ekspres
Özellikler
Kategoriler:
Ayrık Yarı İletken Ürünler Transistörler FET'ler, MOSFET'ler RF FET'ler, MOSFET'ler
Ürün Durumu:
Eski
Yapılandırma:
N-Kanal
Voltaj - Nominal:
4V
Paket:
Teyp ve rulo (TR)
Seriler:
-
Gürültü Şekil:
0,35 dB
Tedarikçi Cihaz Paketi:
S02
Voltaj - Test:
2 volt
Mfr:
hücre
Sıklık:
12 GHz
Kazanmak:
14 dB
Paket / Çanta:
4-SMD, Düz Uçlar
Şimdiki test:
10mA
Güç çıkışı:
165 mW
Teknoloji:
GaAs HJ-FET
Akım Değeri (Amper):
60mA
giriiş
RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 14dB 165mW S02
RFQ gönder
stok:
In Stock
MOQ: